是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DO-214AA | 包装说明: | R-PDSO-J2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.1 | 其他特性: | UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 9.51 V | 最小击穿电压: | 7.78 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码: | DO-214AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大重复峰值反向电压: | 7 V |
表面贴装: | YES | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | J BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMBJ7.0C-T3 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214 | |
SMBJ7.0D | VISHAY |
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Transient Suppressor, | |
SMBJ7.0D / CD | SWST |
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瞬态电压抑制管 | |
SMBJ7.0E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ7.0-E3/52 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 7V V(RWM), Unidirectional, | |
SMBJ7.0-E3/55 | VISHAY |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ7.0-E3/5B | VISHAY |
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TVS DIODE 7V 13.3V DO214AA | |
SMBJ7.0E3/TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ7.0E3/TR13 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 | |
SMBJ7.0E3/TR7 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-21 |