5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-214AA |
| 包装说明： | R-PDSO-C2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.35 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大击穿电压： | 247 V | 最小击穿电压： | 224 V |
| 击穿电压标称值： | 235.5 V | 最大钳位电压： | 324 V |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JEDEC-95代码： | DO-214AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ200 | BL Galaxy Electrical |
功能相似  |
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMBJ200A / CA | SWST |
获取价格 |
瞬态电压抑制管 |
|
| SMBJ200A/TR13 | KEMET |
获取价格 |
KEMET, SMBJ, TVS, Commercial Grade |
|
| SMBJ200A-AT | UNSEMI |
获取价格 |
Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
|
| SMBJ200A-AT | YAGEO |
获取价格 |
瞬态抑制二极管 (车用) |
|
| SMBJ200A-AU | JJM |
获取价格 |
车规瞬态电压抑制二极管 |
|
| SMBJ200A-H | YINT |
获取价格 |
Automotive and High Reliability TVS Diodes |
|
| SMBJ200AQ | DIODES |
获取价格 |
600W SURFACE MOUNT AUTOMOTIVE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SMBJ200A-Q1 | ANBON |
获取价格 |
SMB |
|
| SMBJ200A-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 200V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| SMBJ200ATR | ETC |
获取价格 |
TVS DIODE 200V 324V SMB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
