Datasheet > SMB10J10A-TP-HF

SMB10J10A-TP-HF

更新时间： 2024-10-30 08:34:07

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	342K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SMB10J10A-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.72
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

SMB10J10A-TP-HF 数据手册

SMB10J5.0(C)A THRU SMB10J120(C)A

E480232

Features

•

Glass Passivated Chip

1000W Peak Pulse Power Capability with a 10/1000 us Waveform,

Repetitive Rate(dutycycle):0.01%

1000 Watt TVS

5.0 to 120 Volts

•

Low Inductance

For Bidirectional Devices Add “C” To The Suffix of

The Part Number: i.e.SMB10J5.0CA for 5% Tolerance

Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"

Moisture Sensitivity Level 1

Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("P" Suffix Designates

RoHS Compliant. See Ordering Information)

SMB (DO-214AA)

(LEAD FRAME)

Mechanical Data

• Terminals: Solderable Per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color Band Denotes Positive End (cathode) Except

Bidirectiona

Maximum Ratings

•

Operating Junction Temperature Range: -55°C to +150°C

Storage Temperature Range: -55°C to +150°C

Cathode Mark

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Peak Pulse Power

Surge Current on

10/1000μs Waveform

I_PP

See the Table Note 2

DIMENSIONS

Peak Pulse Power

Dissipation

P_PP

1000W

5.0W

Note 2

INCHES

DIM

NOTE

MIN MAX MIN MAX

0.079 0.103 2.00 2.62

0.075 0.087 1.91 2.21

0.002 0.008 0.05 0.20

0.006 0.012 0.15 0.31

0.030 0.060 0.76 1.52

0.065 0.091 1.65 2.32

0.200 0.220 5.08 5.59

0.160 0.191 4.06 4.85

0.130 0.155 3.30 3.94

Power Dissipationon

infinite heat sink

P_D

T_L= 75°C

Peak forward surge

current

I_FSM

100A

Note 3

Note 4

Maximum

instantaneous forward

voltage at 25A for

unidirectional only

V_F

3.5V/5.0V

Suggested Solder Pad Layout

1.80mm

Notes:

1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7a.

2. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T_A=25 °C per Fig.4

3. Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle =

4 pulses per minute maximum

2.30mm

4. V_F<3.5V for devices of V_BR<50V

Pin Configuration:

2.50mm

Cathode

Anode

Uni-directional

Bi-directional

Rev.3-3-04242019

1/4

MCCSEMI.COM

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SMB10J10A-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SMB10J10C	LGE	获取价格	暂无描述
SMB10J10CA	dowosemi	获取价格	瞬态电压抑制器 Transient Voltage Suppressors
SMB10J10CA	SUNMATE	获取价格	1000W patch TVS transient suppression diode SMB 10V
SMB10J10CA	LGE	获取价格	暂无描述
SMB10J10CA	MCC	获取价格	Tape :3K/Reel, 48K/Ctn;
SMB10J10CA	YANGJIE	获取价格	SMB
SMB10J10CA-TP	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
SMB10J10-E3/52	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
SMB10J10HE3/5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10V V(RWM), Unidirectional,
SMB10J10-HE3/5B	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

与SMB10J10A-TP-HF相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

15
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

18
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

43
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

50

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMB10J10A-TP-HF

SMB10J10A-TP-HF 技术参数

SMB10J10A-TP-HF 数据手册

与SMB10J10A-TP-HF相关器件

与SMB10J10A-TP-HF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SMB10J10A-TP-HF

SMB10J10A-TP-HF 技术参数

SMB10J10A-TP-HF 数据手册

与SMB10J10A-TP-HF相关器件

与SMB10J10A-TP-HF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？