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SMB10J10-HE3/5B

更新时间： 2024-09-16 04:17:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	105K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1000W, 10V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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SMB10J10-HE3/5B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214AA	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	13.6 V	最小击穿电压：	11.1 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	1000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	10 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

SMB10J10-HE3/5B 数据手册

SMB10(8)J5.0(C) thru SMB10(8)J40(C)A

Vishay General Semiconductor

High Power Density Surface Mount TRANSZORB^®

Transient Voltage Suppressors

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Available in uni-directional and bi-directional

• Excellent clamping capability

• Very fast response time

• Low incremental surge resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

• Solder dip 260 °C, 40 s

DO-214AA (SMB)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching and

lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units

for consumer, computer, industrial, automotive and

telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

V_WM

5.0 V to 40 V

1000 W

800 W

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AA (SMBJ)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC Q101 qualified)

_PPM(uni-directional)

P_PPM(bi-directional)

_FSM(uni-directional only)

T_Jmax.

100 A

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3

suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: For uni-directional types the color band

denotes cathode end, no marking on bi-directional

types

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs

waveform ⁽¹⁾⁽²⁾(Fig. 1)

uni-directional

bi-directional

1000

800

P_PPM

Peak pulse current with a 10/1000 µs waveform ⁽¹⁾

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave uni-directional only ⁽²⁾

I_PPM

I_FSM

See next table

100

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Notes:

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A= 25 °C per Fig. 2

(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal

Document Number: 88422

Revision: 22-Oct-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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