SM6T12

更新时间： 2024-11-23 13:00:39

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		二极管
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5页	188K
描述
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC PACKAGE-2

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SM6T12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	13.2 V
最小击穿电压：	11.4 V	击穿电压标称值：	12 V
最大钳位电压：	21.7 V	配置：	SINGLE
最小二极管电容：	2300 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	4 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	9.7 V
最大反向电流：	5 µA	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SM6T12 数据手册

SM6T6V8A/220A

SM6T6V8CA/220CA

TRANSIL^TM

FEATURES

■

PEAK PULSE POWER : 600 W (10/1000µs)

■

BREAKDOWN VOLTAGE RANGE :

From 6.8V to 220 V.

■

UNI AND BIDIRECTIONAL TYPES

LOW CLAMPING FACTOR

FAST RESPONSE TIME

UL RECOGNIZED

DESCRIPTION

SMB

(JEDEC D0-214AA)

Transil diodes provide high overvoltage protection

by clamping action. Their instantaneous response

to transient overvoltages makes them particu-

larly suited to protect voltage sensitive devices

such as MOS Technology and low voltage sup-

plied IC’s.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25°C)

Symbol

P_PP

Parameter

Peak pulse power dissipation (see note 1)

Power dissipation on infinite heatsink

Value

600

Unit

Tj initial = T_amb

_{amb =}50°C

I_FSM

Non repetitive surge peak forward

current for unidirectional types

tp = 10ms

Tj initial = T_amb

100

T_stg

T_j

Storage temperature range

Maximum junction temperature

- 65 to + 175

150

°C

T_L

Maximum lead temperature for soldering during 10 s.

260

°C

Note 1 : For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit.

THERMAL RESISTANCES

Symbol

R_{th (j-l)}

Parameter

Value

Unit

°C/W

Junction to leads

R_{th (j-a)}

Junction to ambient on printed circuit on recommended pad

layout

100

August 2001- Ed: 5A

1/5

12 3 4 5

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与SM6T12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SM6T120A	SUNMATE	获取价格	600W patch TVS transient suppression diode SMB 120V
SM6T120CA	SUNMATE	获取价格	600W patch TVS transient suppression diode SMB 120V
SM6T12A	MDE	获取价格	SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
SM6T12A	SUNMATE	获取价格	600W patch TVS transient suppression diode SMB 12V
SM6T12A	STMICROELECTRONICS	获取价格	TRANSILTM
SM6T12A	VISHAY	获取价格	TRANSZORB⑩ SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SU
SM6T12A/2-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Transient
SM6T12A/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient
SM6T12A/52	VISHAY	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 10.2V V(RWM), Unidirectional,
SM6T12A/52-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient

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