SM6T10A-E3/52

更新时间： 2024-11-04 06:12:07

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威世 - VISHAY		瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
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Surface Mount TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors

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SM6T10A-E3/52 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	R-PDSO-C2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.27
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY ,HIGH RELIABILITY	最大击穿电压：	10.5 V
最小击穿电压：	9.5 V	击穿电压标称值：	10 V
外壳连接：	CATHODE	最大钳位电压：	18.6 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	8.55 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

SM6T10A-E3/52 数据手册

SM6T Series

Vishay General Semiconductor

Surface Mount TRANSZORB^®Transient Voltage Suppressors

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• 600 W peak pulse power capability with a

10/1000 µs waveform

• Available inuni-directional and bi-directional

• Excellent clamping capability

• Low inductance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

DO-214AA (SMB)

peak of 260 °C

• Solder dip 260 °C, 40 s

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

Use in sensitive electronics protection against voltage

transients induced by inductive load switching and

lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units

for consumer, computer, industrial, automotive and

telecommunication.

PRIMARY CHARACTERISTICS

V_BR

6.8 V to 220 V

P_PPM

600 W

P_D

5.0 W

_FSM(uni-directional only)

T_Jmax.

100 A

150 °C

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AA (SMB)

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating

Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade

Base P/NHE3 - RoHS compliant, high reliability/

automotive grade (AEC Q101 qualified)

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

DEVICES FOR BI-DIRECTION APPLICATIONS

For bi-directional devices use CA suffix (e.g.

SM6T12CA).

Electrical characteristics apply in both directions.

E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3

suffix meets JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: For uni-directional types the band denotes

cathode end, no marking on bi-directional types

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

P_PPM

I_PPM

VALUE

600

UNIT

Peak pulse power dissipation on 10/1000 µs waveform ⁽¹⁾⁽²⁾(Fig. 1)

Peak power pulse current with a 10/1000 µs waveform ⁽¹⁾(Fig. 3)

Power dissipation on infinite heatsink T_A= 50 °C

See next table

5.0

P_D

Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave uni-directional only ⁽²⁾

I_FSM

100

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 65 to +150

°C

Notes:

(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T_A= 25 °C per Fig. 2

(2) Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0 mm) copper pads to each terminal

Document Number: 88385

Revision: 21-Oct-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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