Datasheet > SM6T10CAE3

SM6T10CAE3

更新时间： 2024-11-23 20:47:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
10页	119K
描述
4000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SM6T10CAE3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-C2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	其他特性：	UL RECOGNIZED
最大击穿电压：	10.5 V	最小击穿电压：	9.5 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	4000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SM6T10CAE3 数据手册

SM6T

Transil™

Features

■ Peak pulse power:

– 600 W (10/1000 µs)

– 4 kW (8/20 µs)

■ Breakdown voltage range: from 6.8 V to 220 V

■ Unidirectional and bidirectional types

■ Low leakage current:

– 0.2 µA at 25 °C

– 1 µA at 85 °C

■ Operating T

: 150 °C

Unidirectional

Bidirectional

j max

SMB

(JEDEC DO-214AA)

■ High power capability at T

jmax

– 515 W (10/1000 µs)

■ JEDEC registered package outline

Complies with the following standards

■ IEC 61000-4-2 level 4:

– 15 kV (air discharge)

– 8 kV (contact discharge)

Description

■ IEC 61000-4-5

■ MIL STD 883G, method 3015-7: class 3B:

The SM6T Transil series has been designed to

protect sensitive equipment against electrostatic

discharges according to IEC 61000-4-2 and MIL

STD 883, method 3015, and electrical overstress

according to IEC 61000-4-4 and 5. These devices

are more generally used against surges below

600 W (10/1000 µs).

– 25 kV HBM (human body model)

■ UL 497B, file number: QVGQ2.E136224

■ Resin meets UL 94, V0

■ MIL-STD-750, method 2026 soldererability

■ EIA STD RS-481 and IEC 60286-3 packing

■ IPC 7531 footprint

Planar technology makes these devices suitable

for high-end equipment and SMPS where low

leakage current and high junction temperature are

required to provide reliability and stability over

time.

SM6T are packaged in SMB (SMB footprint in

accordance with IPC 7531 standard).

TM: Transil is a trademark of STMicroelectronics

October 2010

Doc ID 3082 Rev 9

1/10

www.st.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与SM6T10CAE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SM6T10CA-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient
SM6T10CA-E3/2	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Transient S
SM6T10CA-E3/51	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient
SM6T10CA-E3/52	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2
SM6T10CA-E3/5B	VISHAY	获取价格	DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2
SM6T10CA-E351	VISHAY	获取价格	Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
SM6T10CA-E352	VISHAY	获取价格	Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
SM6T10CA-E355	VISHAY	获取价格	Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
SM6T10CA-E35B	VISHAY	获取价格	Surface Mount TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
SM6T10CAHE3/52	VISHAY	获取价格	TVS DIODE 8.55V 14.5V DO214AA

与SM6T10CAE3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SM6T10CAE3

SM6T10CAE3 技术参数

SM6T10CAE3 数据手册

与SM6T10CAE3相关器件

与SM6T10CAE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SM6T10CAE3

SM6T10CAE3 技术参数

SM6T10CAE3 数据手册

与SM6T10CAE3相关器件

与SM6T10CAE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？