5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 217K |  |
| 描述 | ||
| Automotive 600 W Transil⢠| ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-214AA | 包装说明： | R-PDSO-C2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 1.64 | 最大击穿电压： | 10.5 V |
| 最小击穿电压： | 9.5 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-214AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 600 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 最大重复峰值反向电压： | 8.55 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 60 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SM6T10A | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
TRANSILTM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SM6T10AYCAY | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Automotive 600 W Transil |
|
| SM6T10CA | MDE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
|
| SM6T10CA | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
TRANSILTM |
|
| SM6T10CA | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 8.55V V(RWM), Bidirectional, |
|
| SM6T10CA | SUNMATE |
获取价格 |
600W patch TVS transient suppression diode SMB 10V |
|
| SM6T10CA/2 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.55V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO- |
|
| SM6T10CA/2-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Transient S |
|
| SM6T10CA/51-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN, Transient |
|
| SM6T10CA/5B | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 8.55V V(RWM), Bidirectional, |
|
| SM6T10CA/5-E3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, PLASTIC, SMC, 2 PIN, Transient S |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
