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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP, TSOP44,.46,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 4.5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; 512 X 8 SRAM | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | CACHE DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | Other Memory ICs |
| 最大压摆率： | 0.24 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SM2404T-10 | RAMTRON | Memory IC, 1MX16, CMOS, PDSO50, |
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| SM2404T-10I | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50 |
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| SM2404T1-12 | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| SM2404T-12 | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX16, 6ns, MOS, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| SM2404T1-7.5 | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX16, 4.5ns, MOS, PDSO50, PLASTIC, TSOP2-50 |
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| SM2404T-6 | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX16, 4.3ns, CMOS, PDSO50, TSOP2-50 |
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