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SL12HE3 PDF预览

SL12HE3

更新时间： 2024-11-20 19:59:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 199K
描述
DIODE 1.5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, LEAD FREE, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

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SL12HE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.62
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SL12HE3 数据手册

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SL12 & SL13  
Vishay General Semiconductor  
Low V Surface Mount Schottky Rectifier  
F
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
1.5 A  
20 V, 30 V  
50 A  
VF  
0.34 V  
Tj max.  
125 °C  
DO-214AC (SMA)  
Features  
Mechanical Data  
• Low profile package  
Case: DO-214AC (SMA)  
• Ideal for automated placement  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Very low forward voltage drop  
• High surge capability  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Typical Applications  
For use in low voltage, high frequency inverters, free-  
wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection  
applications  
Maximum Ratings  
TA = 25 °C unless otherwise specified  
Parameter  
Device marking code  
Symbol  
SL12  
SL2  
20  
SL13  
SL3  
30  
Unit  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
A
Maximum RMS voltage  
14  
20  
21  
30  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TL = 105 °C (Fig.1)  
IF(AV)  
15  
50  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dv/dt  
TJ  
10000  
V/µs  
°C  
- 55 to + 125  
- 55 to + 150  
TSTG  
°C  
Document Number 88740  
15-Jul-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与SL12HE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SL12HE3/5AT VISHAY

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 		RECTIFIER DIODE
SL12-HE3/5AT VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS CO
SL12HE3/61T VISHAY

获取价格

 		RECTIFIER DIODE
SL12HE3_A/H VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA,2
SL12HE3_B/H VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2
SL12-L FORMOSA

获取价格

 		Low VF Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
SL12-L WILLAS

获取价格

 		1.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS-20V-40V SMA-LS PACKAGE
SL12-M WILLAS

获取价格

 		1.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS-20V-40V SOD-123-L PACKAGE
SL12-M FORMOSA

获取价格

 		Silicon epitaxial planer type
SL12-M3 VISHAY

获取价格

 		Guardring for overvoltage protection

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