5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.49 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.23 V | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 50 A |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 15 A | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SL12HE3_A/H | VISHAY |
完全替代  |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA,2 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SL12HE3_A/H | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA,2 |
|
| SL12HE3_B/H | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 |
|
| SL12-L | FORMOSA |
获取价格 |
Low VF Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
|
| SL12-L | WILLAS |
获取价格 |
1.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS-20V-40V SMA-LS PACKAGE |
|
| SL12-M | WILLAS |
获取价格 |
1.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS-20V-40V SOD-123-L PACKAGE |
|
| SL12-M | FORMOSA |
获取价格 |
Silicon epitaxial planer type |
|
| SL12-M3 | VISHAY |
获取价格 |
Guardring for overvoltage protection |
|
| SL12-M3/5AT | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1.5 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL |
|
| SL12-MH | FORMOSA |
获取价格 |
Low VF Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
|
| SL12N | WEITRON |
获取价格 |
Low VF Schottky Barrier Diodes |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
