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SKT8,9QURGHEBOND

更新时间： 2024-11-30 15:51:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 208K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element

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SKT8,9QURGHEBOND 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：UNCASED CHIP, O-XUUC-X4
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.40
风险等级：5.72Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：100 mA
JESD-30 代码：O-XUUC-X4元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：130 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：UNCASED CHIP
认证状态：Not Qualified断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKT8,9QURGHEBOND 数据手册

 浏览型号SKT8,9QURGHEBOND的Datasheet PDF文件第2页 
SKT 8,9 Qu RG HE bond.SEMIKRON, leading manufacturer of diode thyristor power semicondictor modules  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
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:
I
= 150 A  
T(DC)  
V
= 1200 V  
RRM  
Dynamic Characteristics  
Symbol Conditions  
Size: 8,9mm x 8,9mm  
Package: tray  
min.  
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max. Units  
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Features  
Thermal Characteristics  
Symbol Conditions  
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Mechanical Characteristics  
Typical Applications  
Parameter  
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SKT  
1
19-06-2008 DEM  
© by SEMIKRON  
12

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与SKT8,9QURGHEBOND相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT8,9QURGSOLD SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
SKT8,9QUZGHESOLD SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
SKT8.9QURGBOND. SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 105000mA I(T), 1600V V(DRM)
SKT8.9QURGSOLD. SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier
SKT8.9QUZGHESOLD. SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier
SKT8_1 SEMIKRON

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 		THYRISTOR
SKT8_2 SEMIKRON

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 		THYRISTOR
SKT80 LIUJING

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 		可控硅、晶闸管
SKT80 SEMIKRON

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 		Line Thyristor
SKT80 NAINA

获取价格

 		Phase Control Thyristors, 70A

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