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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> SKT80/06D
SKT80/06D PDF预览

SKT80/06D

更新时间： 2024-11-30 03:10:19
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
4页 572K
描述
Line Thyristor

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SKT80/06D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-94
包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.71外壳连接：ANODE
标称电路换相断开时间：100 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：250 mA
JEDEC-95代码：TO-209JESD-30 代码：O-MUPM-H3
JESD-609代码：e2最大漏电流：30 mA
通态非重复峰值电流：1700 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：80000 A
最高工作温度：130 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：135 A
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：HIGH CURRENT CABLE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

SKT80/06D 数据手册

 浏览型号SKT80/06D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKT80/06D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SKT80/06D的Datasheet PDF文件第4页 
SKT 80 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKT  
1
27-08-2003 IMP  
© by SEMIKRON  
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与SKT80/06D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT80/06DUNF SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem
SKT80/08C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 125.6A I(T)RMS, 80000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 El
SKT80/08D SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT80/12C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 125.6A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1
SKT80/12CUNF SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El
SKT80/12E SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT80/12EUNF SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 El
SKT80/14C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 1400V V(DRM)
SKT80/14E SEMIKRON

获取价格

 		Line Thyristor
SKT80/16C SEMIKRON

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 1600V V(DRM)

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