SKT80/12EUNF

更新时间： 2024-11-30 13:13:35

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		/
页数	文件大小	规格书
4页	572K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209, TO-94, 3 PIN

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SKT80/12EUNF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-94
包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.7	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	100 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	150 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	250 mA
JEDEC-95代码：	TO-209	JESD-30 代码：	O-MUPM-H3
JESD-609代码：	e2	最大漏电流：	30 mA
通态非重复峰值电流：	1700 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	80000 A
最高工作温度：	130 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	135 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

SKT80/12EUNF 数据手册

SKT 80 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE

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SKT

27-08-2003 IMP

12 3 4

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与SKT80/12EUNF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SKT80/14C	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 1400V V(DRM)
SKT80/14E	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor
SKT80/16C	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 80000mA I(T), 1600V V(DRM)
SKT80/16E	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor
SKT80/16EUNF	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 135A I(T)RMS, 80000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 El
SKT80/18E	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor
SKT80_10	SEMIKRON	获取价格	Line Thyristor
SKT8S	EIC	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SKT9	EIC	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SKT9	SEMIKRON	获取价格	THYRISTOR

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