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SKT80/16E

更新时间: 2024-11-30 03:10:19
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
4页 572K
描述
Line Thyristor

SKT80/16E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-94
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3针数:3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.72Is Samacsys:N
外壳连接:ANODE标称电路换相断开时间:100 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:1000 V/us
最大直流栅极触发电流:150 mA最大直流栅极触发电压:3 V
最大维持电流:250 mAJEDEC-95代码:TO-209
JESD-30 代码:O-MUPM-H3JESD-609代码:e2
最大漏电流:30 mA通态非重复峰值电流:1700 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:80000 A最高工作温度:130 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:135 A重复峰值关态漏电流最大值:30000 µA
断态重复峰值电压:1600 V重复峰值反向电压:1600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SKT80/16E 数据手册

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SKT 80 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKT  
1
27-08-2003 IMP  
© by SEMIKRON  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKT80/16EUNF SEMIKRON

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