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SKRTABL8.9QU

更新时间: 2024-09-10 20:05:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 307K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 110A, 1600V V(RRM), Silicon, 8.90 X 8.90 MM, DIE-1

SKRTABL8.9QU 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:S-XUUC-N1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.40风险等级:5.84
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:S-XUUC-N1JESD-609代码:e3/e4
最大非重复峰值正向电流:1380 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最大输出电流:110 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:UNCASED CHIP峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1600 V
最大反向恢复时间:12 µs表面贴装:YES
端子面层:TIN/SILVER端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

SKRTABL8.9QU 数据手册

 浏览型号SKRTABL8.9QU的Datasheet PDF文件第2页 
SKR Tabl. 8,9 Qupower semiconductor power electronics igbt bridge rectifier diode thyristor cib rectifier ipm driver inverter converter thyristor module gleichrichter  
Absolute Maximum Ratings  
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Size: 8,9 mm X 8,9 mm  
Package: tray  
Thermal Characteristics  
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Typical Applications  
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SKR  
1
17-03-2005 DEM  
© by SEMIKRON  

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