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SKR100/02

更新时间： 2024-09-20 18:25:55
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 161K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 200V V(RRM), Silicon, DO-205AC, HERMETIC SEALED, METAL, DO-205AC, 1 PIN

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SKR100/02 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-205AC包装说明：O-MUPM-H1
针数：1Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.84其他特性：LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.55 V
JEDEC-95代码：DO-205ACJESD-30 代码：O-MUPM-H1
JESD-609代码：e2最大非重复峰值正向电流：1750 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：180 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：125 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：1000 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SKR100/02 数据手册

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VRSM  
VRRM  
IFRMS (maximum values for continuous operation)  
Rectifier Diodes  
200 A  
260 A  
500 A  
SKN 100  
SKN 130  
SKN 240  
SKR 100  
SKR 130  
SKR 240  
I
FAV (sin. 180; Tcase = 100 °C)  
125 A  
165 A  
320 A  
V
SKN  
SKR  
SKN  
SKR  
SKN  
SKR  
200 100/02  
400 100/04  
800 100/08  
1200 100/12  
1400 100/14  
1600 100/16  
1800 100/18  
100/02  
100/04  
100/08  
100/12  
100/14  
100/16  
100/18  
130/02  
130/04  
130/08  
130/12  
130/14  
130/16  
130/18  
130/02*  
130/04*  
130/08*  
130/12*  
130/14*  
130/16*  
240/02  
240/04  
240/08  
240/12  
240/14  
240/16  
240/18  
240/02*  
240/04*  
240/08*  
240/12*  
240/14*  
240/16*  
♦
♦
♦
130/18  
♦
♦
240/18♦  
Symbol Conditions  
SKN 100  
SKR 100  
SKN 130  
SKR 130  
SKN 240  
SKR 240  
IFAV  
sin. 180;  
Tcase = 100 °C  
125 A  
100 A  
165 A  
130 A  
320 A  
240 A  
= 125 °C  
IFSM  
i2t  
Qrr  
Tvj  
=
25 °C; 10 ms  
1 750 A  
1 500 A  
15 000 A2s  
2 500 A  
2 000 A  
6 000 A  
5 000 A  
T
vj = 180 °C; 10 ms  
Tvj 25 °C 8,3...  
=
31 000 A2s 180 000 A2s  
T
vj = 180 °C 10 ms 11 500 A2s  
20 000 A2s 125 000 A2s  
Features  
•
•
Reverse voltages up to 1600 V  
Hermetic metal cases with  
glass insulators  
Tvj = 160 °C;  
diF  
dt  
=
A
µs  
–
= 10  
typ. 100 µC  
typ. 120 µC  
typ. 200 µC  
•
•
Threaded studs ISO M 12,  
M16 x 1,5  
IR  
Tvj  
25 °C;  
V
T
V
R = VRRM  
vj = 180 °C;  
R = VRRM  
1 mA  
1 mA  
2 mA  
(SKR 130 also 1/2–20 UNF  
or 3/8–24 UNF,  
SKR 240 also 3/4–16 UNF)  
SKN: anode to stud  
SKR: cathode to stud  
15 mA  
22 mA  
60 mA  
VF  
Tvj 25 °C;  
=
(IF = ...); max.  
Tvj = 180 °C  
Tvj = 180 °C  
1,55V (400A) 1,5V (500A) 1,4V (750A)  
V(TO)  
rT  
0,85 V  
0,85 V  
0,85 V  
Typical Applications  
•
All-purpose mean power  
rectifier diodes  
1,8 mΩ  
1,3 mΩ  
0,6 mΩ  
Rthjc  
Rthch  
Tvj  
0,45 °C/W  
0,08 °C/W  
0,35 °C/W  
0,08 °C/W  
0,20 °C/W  
0,03 °C/W  
•
•
Cooling via heatsinks  
Non-controllable and  
half-controllable rectifiers  
Free-wheeling diodes  
– 40 ... + 180 °C  
– 55 ... + 180 °C  
•
Tstg  
M
a
SI units/US units  
approx.  
10Nm/90lb.in. 10Nm/90lb.in. 30Nm/270lb.in.  
2
2
2
.
.
.
5
5
9,81 m/s  
100 g  
5
9,81 m/s  
100 g  
9,81 m/s  
250 g  
♦
available in limited quantities  
w
* available with UNF threads:  
3/8–24 UNF 2 A (e.g. SKR130/02  
UNF 3/8) or  
RC  
Rp  
PR  
=
2 W  
0,25µF + 50Ω 0,25µF + 50Ω 0,5µF + 30Ω  
PR = 20 W  
50 kΩ  
50 kΩ  
50 kΩ  
1/2–20 UNF 2 A  
(e.g. SKR 130/02 UNF),  
SKR 240/02 UNF with  
3/4–16 UNF 2 A thread  
Case  
E 13  
E 14  
E 15  
© by SEMIKRON  
B 8 – 21  
1234

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 125A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-205AC, HERMETIC SEALE
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 		CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 35V, 10uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD

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