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SKN20/08

更新时间: 2024-11-07 03:31:47
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 422K
描述
Rectifier Diode

SKN20/08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, METAL, CASE E 9, 1 PIN
针数:1Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.76Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE应用:POWER
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.55 VJESD-30 代码:O-MUPM-H1
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:320 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:180 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向电流:300 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SKN20/08 数据手册

 浏览型号SKN20/08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKN20/08的Datasheet PDF文件第3页 
SKN 20 THYRISTOR BRIDGE,SCR,BRIDGE  
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SKN  
SKR  
1
05-04-2004 SCT  
© by SEMIKRON  

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