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SKN26/08 PDF预览

SKN26/08

更新时间： 2024-11-05 19:42:59
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 800V V(RRM), Silicon, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL, CASE E 8, 1 PIN

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SKN26/08 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-203
包装说明：HERMETIC SEALED, METAL, CASE E 8, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.55 VJEDEC-95代码：DO-203AA
JESD-30 代码：O-MUPM-D1JESD-609代码：e2
最大非重复峰值正向电流：320 A元件数量：1
相数：1端子数量：1
最高工作温度：180 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：25 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向电流：300 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SKN26/08 数据手册

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VRSM  
VRRM  
IFRMS (maximum values for continuous operation)  
40 A  
Rectifier Diodes  
SKN 20  
SKNa 20  
SKN 26  
SKR 20  
SKR 26  
I
FAV (sin. 180; Tcase = 100 °C)  
25 A  
V
200  
400  
SKN 20/02  
SKN 20/04  
SKN 20/08  
SKN 20/12  
SKN 20/14  
SKN 20/16  
SKR 20/02  
SKR 20/04  
SKR 20/08  
SKR 20/12  
SKR 20/14  
SKR 20/16  
SKN 26/02  
SKN 26/04  
SKN 26/08  
SKN 26/12  
SKN 26/14  
SKN 26/16  
SKR 26/02*  
SKR 26/04*  
SKR 26/08*  
SKR 26/12*  
SKR 26/14*  
SKR 26/16*  
800  
1200  
1400  
1600  
Avalanche Types  
V(BR)min  
V
IFAV = 25 A  
(Tcase = 73 °C)  
1300  
1700  
SKNa 20/13  
SKNa 20/17  
Symbol Conditions  
SKN 20  
SKR 20  
SKNa 20  
SKN 26  
SKR 26  
IFAV  
sin. 180; Tcase  
=
93 °C  
–
25 A  
20 A  
20 A  
18 A  
11 A  
–
25 A  
20 A  
= 100 °C  
= 125 °C  
Features  
IFSM  
Tvj  
vj = Tvjmax  
Tvj 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
vj = Tvjmax 8,3 ... 10 ms  
=
25 °C; 10 ms  
375 A  
320 A  
•
•
•
•
Reverse voltages up to 1600 V,  
T
;
10 ms  
Avalanche Types to 1700 V  
Hermetic metal cases with  
glass insulators  
Threaded studs ISO M6  
(SKR 26 also 10 – 32 UNF)  
SKN: anode to stud  
i2t  
=
700 A2s  
510 A2s  
6 kW  
T
;
PRSM  
Tvj > 250 °C, tp = 10 µs  
–
–
diF  
dt  
A
µs  
Qrr  
IR  
Tvj = 160 °C; –  
= 10  
typ. 20 µC  
SKR: cathode to stud  
Tvj  
=
25 °C; VR = VRRM  
0,3 mA  
–
4 mA  
–
10 µA  
–
0,3 mA  
–
4 mA  
VR = V(BR)min  
Typical Applications  
T
vj = 180 °C; VR = VRRM  
•
•
•
•
All-purpose mean power  
rectifier diodes  
Cooling via metal plates or  
heatsinks  
Non-controllable and  
half-controllable rectifiers  
Free-wheeling diodes  
VF  
Tvj 25 °C;  
=
I
F = 60 A; max.  
1,55 V  
0,85 V  
11 mΩ  
V(TO)  
rT  
Tvj = Tvjmax  
Tvj = Tvjmax  
Rthjc  
Rthch  
Tvjmin  
Tvjmax  
2 °C/W  
1 °C/W  
– 40 °C  
150 °C  
Avalanche Types  
•
DC supply for magnets or  
solenoids (brakes, valves, etc.)  
Field coil supply for DC motors  
Series connections for high  
voltage applications  
180 °C  
180 °C  
•
•
Tstg  
– 55 ... + 180 °C  
M
a
w
SI units/US units  
approx.  
2,0 Nm/18 lb. in.  
9,81 m/s  
10 g  
2
.
5
8 g  
E 8  
RC  
Rp  
PR = 1 W  
PR = 4 W  
0,05 µF + 200 Ω  
150 kΩ  
* available with UNF thread  
10 – 32 UNF 2 A; e.g.  
SKR 26/02 UNF  
Case  
E 9  
© by SEMIKRON  
B 8 – 13  
1234

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SKN26/08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE5920 NTE

功能相似

 Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp
NTE5932 NTE

功能相似

 Silicon Power Rectifier Diode, 20 Amp

与SKN26/08相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKN26/12 SEMIKRON

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