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SKN262/22

更新时间： 2024-11-30 14:44:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 高压测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 542K
描述
Rectifier Diode,

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SKN262/22 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.72其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：HIGH VOLTAGE外壳连接：ANODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.4 V
JESD-30 代码：O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流：5000 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：180 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：320 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压：2200 V
最大反向电流：60000 µA反向测试电压：2200 V
表面贴装：NO端子形式：HIGH CURRENT CABLE
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

SKN262/22 数据手册

 浏览型号SKN262/22的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SKN262/22的Datasheet PDF文件第3页 
SKN 262, SKR 262  
IFRMS = 500 A (maximum value for continuous operation)  
IFAV = 260 A (sin. 180; Tc = 119 ºC)  
VRSM  
V
VRRM  
V
2000  
2200  
2400  
2800  
2000  
2200  
2400  
2800  
SKN 262/20  
SKN 262/22  
SKN 262/24  
SKN 262/28  
SKR 262/20  
SKR 262/22  
SKR 262/24  
SKR 262/28  
Symbol  
Condition  
Values  
Units  
Stud Diode  
IFAV  
ID  
sin. 180 ; TC = 100 (125) ºC  
K 0,55; Ta = 45 ºC; B2 / B6  
K 0,55F; Ta = 35 ºC; B2 / B6  
320 (240)  
340 / 480  
620 / 840  
A
A
A
Rectifier Diode  
IFSM  
i2t  
Tvj = 25º C ; 10 ms  
6000  
5000  
180000  
125000  
A
A
A2s  
A2s  
SKN 262  
SKR 262  
Tvj = 180º C ; 10 ms  
Tvj = 25º C ; 8,3...10 ms  
Tvj = 180º C ; 8,3...10 ms  
VF  
V(TO)  
rT  
IRD  
Qrr  
Tvj = 25º C, IF = 750 A  
Tvj = 180º C  
Tvj = 180º C  
Tvj = 180º C ; VR = VRRM  
Tvj = 160°C, -diF/dt = 10 A/µs  
max. 1,4  
max. 0,85  
max. 0,6  
max. 60  
typ. 200  
V
V
m  
mA  
µC  
Features  
Reverse voltages up to 2800 V  
Hermetic metal case with  
ceramic insulator with extra-long  
creepage distances  
Threaded stud M16 x 1,5 mm  
Also available with threaded  
studs M20 x 1,5 mm (e.g.  
SKN 262/22 M20 and  
K/W  
K/W  
°C  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
Tvj  
0,2  
0,03  
-40...+180  
-55...+180  
Tstg  
°C  
3/4”­16 UNF 2A (e.g.  
SKR 262/24 UNF)  
SKN: anode to stud  
SKR: cathode to stud  
Visol  
Ms  
-
30  
270  
V~  
Nm  
lb.in.  
to heatsink ( SI units )  
to heatsink ( US units )  
a
m
5 * 9,81  
260  
m/s2  
g
approx.  
Typical Applications *  
High voltage rectifier diode,  
especially for traction  
applications  
Case  
Cooling via heatsinks  
Non-controllable and half-  
controllable rectifiers  
Free-wheeling diodes  
Recommended snubber  
network:  
RC: 1,0 µF, 20 (PR = 2W),  
Rp: 25 K(PR = 20 W)  
SKN  
SKR  
1
16-01-2019  
© by SEMIKRON  
123

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