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SKN2M400/14 PDF预览

SKN2M400/14

更新时间： 2024-12-01 20:40:51
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
6页 456K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 410A, 1400V V(RRM), Silicon, DO-200AA,

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SKN2M400/14 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-MEDB-N2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
其他特性：LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL应用：FAST SOFT RECOVERY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.95 V
JEDEC-95代码：DO-200AAJESD-30 代码：O-MEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：7000 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：410 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1400 V
最大反向电流：4000 µA最大反向恢复时间：2 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：END
Base Number Matches：1

SKN2M400/14 数据手册

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Fast Recovery Rectifier  
Diodes  
VRSM  
VRRM  
V
IFAV (sin. 180; Tcase = 85 °C)  
400 A  
400 A  
SKN 340 F  
SKN 2M400  
800  
1000  
1200  
1400  
1500  
1600  
1800  
SKN 340 F 08  
–
SKN 2M400/08  
SKN 2M400/10  
SKN 2M400/12  
SKN 2M400/14  
SKN 2M400/15  
–
SKN 340 F 12  
SKN 340 F 14  
–
SKN 340 F 16  
SKN 340 F 18  
–
Symbol Conditions  
SKN 340 F SKN 2M400 Units  
IFAV  
sin. 180; DSC (Tcase = . . .);2 kHz 340 (100 °C) 400 (85 °C)  
A
A
sin. 180; Rthha = 0,05 °C/W;  
Tamb = 35 °C; DSC  
360  
410  
IFSM  
i2t  
Tvj = 25 °C; 10 ms  
Tvj = Tvjmax; 10 ms  
4 000  
3 500  
7 000  
6 000  
A
A
Tvj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj = Tvjmax; 8,3 ... 10 ms  
80 000  
61 250  
245 000  
180 000  
A2s  
A2s  
Qrr  
Tvj = Tvjmax  
diF  
IFM = 300 A  
165  
–
µC  
µC  
Features  
• Small recovered charge  
• Soft recovery  
• Up to 1800 V reverse voltage  
• Hermetic capsule type metal  
cases with ceramic insulators  
A
µs  
–
=
100  
IFM = 500 A  
–
130  
dt  
IRM  
IFM = 300 A  
IFM = 500 A  
150  
–
–
125  
A
A
IR  
Tvj = 25 °C; VR = VRRM  
4
4
mA  
mA  
Typical Applications  
Tvj = Tvjmax; VR = VRRM  
20  
100  
• Inverse diodes for GTO and  
asymmetric thyristors  
trr  
Tvj = 25 °C;  
IFM = 300 A  
• Inverters and choppers  
• A. C. motor control  
• Uninterruptible power supplies  
diF  
dt  
A
µs  
–
=
100  
max. 2,2  
–
–
µs  
IFM = 400 A  
diF  
A
µs  
–
=
50  
max. 2,0  
µs  
V
dt  
VF  
Tvj = 25 °C; (IF = ...); max.  
Tvj = Tvjmax  
2,55(1000A) 1,95(1300A)  
V(TO)  
rT  
1,1  
1
1,25  
0,5  
V
Tvj = Tvjmax  
mΩ  
Rthjc  
Rthch  
0,075/0,15  
0,02/0,04  
°C/W  
°C/W  
(Double-sided cooling/  
single-sided cooling)  
DSC/SSC  
Tvj  
– 40...+ 150 – 40...+140 °C  
– 40...+ 150 – 40...+140 °C  
Tstg  
F
SI units  
US units  
4...5  
900...1100  
51  
kN  
lbs.  
g
w
Case  
E18  
© by SEMIKRON  
B 9 – 33  
123456

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与SKN2M400/14相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKN2M400/15 SEMIKRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 410A, 1500V V(RRM), Silicon, DO-200AA,
SKN2S EIC

获取价格

 		SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
SKN3000/22 SEMIKRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3100A, 2200V V(RRM), Silicon,
SKN3000/28 SEMIKRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3100A, 2800V V(RRM), Silicon,
SKN3000/36 SEMIKRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3100A, 3600V V(RRM), Silicon,
SKN300F08 SEMIKRON

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 		Diode,
SKN300F10 SEMIKRON

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 		Diode,
SKN30N SEMIKRON

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 		Semicell Diode
SKN320 SEMIKRON

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 		Rectifier Diode
SKN320 NAINA

获取价格

 		Standard Recovery Diodes (Stud and Flat Base Type)

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