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SKN2000/16

更新时间: 2024-11-09 21:06:19
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
4页 172K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2000A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AC,

SKN2000/16 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-MEDB-N2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.81
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C应用:HIGH POWER
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.3 V
JEDEC-95代码:DO-200ACJESD-30 代码:O-MEDB-N2
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:30000 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:2000 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1600 V
最大反向电流:50000 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:NO LEAD端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SKN2000/16 数据手册

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