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SKN130/18UNF

更新时间： 2024-09-17 20:54:19
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 235K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 165A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-205AA, DO-8, 1 PIN

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SKN130/18UNF 技术参数

生命周期：Active包装说明：DO-8, 1 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.7
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.5 VJEDEC-95代码：DO-205AA
JESD-30 代码：O-MUPM-H1最大非重复峰值正向电流：2000 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：180 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：165 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压：1800 V
最大反向电流：22000 µA表面贴装：NO
端子形式：HIGH CURRENT CABLE端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

SKN130/18UNF 数据手册

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SKN 130 UNF 3/8”  
IFRMS = 260 A (maximum value for continuous operation)  
IFAV = 130 A (sin. 180; Tc = 125 ºC)  
VRSM  
V
VRRM  
V
400  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
400  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
SKN 130/04  
SKN 130/08  
SKN 130/12  
SKN 130/14  
SKN 130/16  
SKN 130/18  
SKR 130/04  
SKR 130/08  
SKR 130/12  
SKR 130/14  
SKR 130/16  
SKR 130/18  
Stud Diode  
Symbol  
Condition  
Values  
Units  
Rectifier Diode  
IFAV  
ID  
sin. 180 ; TC = 100 ºC  
K1,1; Ta = 45º C; B2/B6  
K1,1F; Ta = 35º C; B2/B6  
165  
160 / 225  
290 / 405  
A
A
A
SKN 130 UNF 3/8”  
SKR 130 UNF 3/8”  
IFSM  
i2t  
Tvj = 25º C ; 10 ms  
2500  
2000  
31000  
20000  
A
A
Tvj = 180º C ; 10 ms  
Tvj = 25º C ; 8,3...10 ms  
Tvj = 180º C ; 8,3...10 ms  
A2s  
A2s  
Features  
VF  
V(TO)  
rT  
Tvj = 25º C, IF = 500 A  
Tvj = 180º C  
Tvj = 180º C  
Max. 1,5  
Max 0,85  
Max 1,3  
Max. 22  
120  
V
V
•
Reverse voltages up to 1800 V  
Hermetic metal cases with  
glass insulator  
•
mΩ  
mA  
µC  
IRD  
Qrr  
Tvj = 180º C ; VR = VRRM  
Tvj = 160°C, -diF/dt = 10 A/µs  
•
•
•
Threaded studs 3/8” – 24 UNF  
SKN: anode to stud  
SKR: cathode to stud  
K/W  
K/W  
°C  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
Tvj  
0,35  
0,08  
-40...+180  
-55...+180  
Typical Applications *  
All purpose mean power  
rectifier diodes  
•
Tstg  
°C  
Visol  
Ms  
-
8
V~  
Nm  
m/s2  
g
•
•
Cooling via heatsinks  
Non-controllable and half-  
controllable rectifiers  
Free-wheeling diodes  
Recommended snubber  
network:  
to heatsink  
approx.  
a
m
5 * 9,81  
85  
•
•
Case  
DO-8  
RC: 0,25 µF, 50 Ω (PR = 2W),  
Rp: 50 KΩ (PR = 20 W)  
Note: for UNF thread versions add  
an UNF at the description's end.  
(e.g. SKR 96/04 UNF)  
SKN  
SKR  
1
2010-10-25 DFE  
© by SEMIKRON  
123

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