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SKM1200MLI12BE4

更新时间： 2023-12-06 20:11:18

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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11页	1996K
描述
IGBT Modules SEMITRANS 10 (250x90x38)

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SKM1200MLI12BE4 数据手册

SKM1200MLI12BE4

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT1

min.

typ.

max.

Unit

I_C= 1200 A

T_j= 25 °C

V_CE(sat)

1.80

2.05

2.30

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.87

0.77

0.78

1.07

5.8

1.01

0.90

0.87

1.17

6.3

mΩ

chiplevel

V_GE= 15 V

chiplevel

SEMITRANS^®10

IGBT4 Modules

SKM1200MLI12BE4

Features*

• High efficient MLI topology

• Symmetrical current sharing

• Low-inductive module design

• High mechanical robustness

• UL recognized, file no. E63532

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE= V_CE, I_C= 44.4 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.1

75.0

4.08

6900

0.9

249

108

887

130

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 1200 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 1 Ω

_{G off}= 2 Ω

di/dt_on= 15500 A/

µs

di/dt_off= 7500 A/µs

dv/dt = 3300 V/µs

T_j= 150 °C

E_off

189

Typical Applications

• 1500V Solar inverters

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

0.021

K/W

Remarks*

• BOT-Switch

per IGBT (λgrease= 0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.0137

• Recommended T_jop= -40 … 150°C

• IGBT1 : outer IGBTs T1 & T4

• IGBT2 : inner IGBTs T2 & T3

• Diode1 : outer diodes D1 & D4

• Diode2 : inner diodes D2 & D3

• Diode5 : clamping diodes D5 & D6

R_th(c-s)

K/W

IGBT2

V_CE(sat)

I_C= 1200 A

T_j= 25 °C

1.80

2.05

2.30

_GE= 15 V

T_j= 150 °C

chiplevel

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

V_CE0

r_CE

0.87

0.77

0.78

1.07

5.8

1.01

0.90

0.87

1.17

6.3

mΩ

chiplevel

Footnotes

¹⁾Please find further technical information on

the SEMIKRON website.

V_GE= 15 V

chiplevel

V_GE(th)

I_CES

C_ies

C_oes

C_res

Q_G

R_Gint

t_d(on)

t_r

V_GE= V_CE, I_C= 44.4 mA

V_GE= 0 V, V_CE= 1200 V, T_j= 25 °C

f = 1 MHz

5.1

75.0

4.08

6900

0.9

422

162

101

1544

155

V_CE= 25 V

f = 1 MHz

_GE= 0 V

V_GE= - 8 V...+ 15 V

T_j= 25 °C

V_CC= 600 V

T_j= 150 °C

_C= 1200 A

_GE= +15/-15 V

E_on

t_d(off)

t_f

_{G on}= 1 Ω

_{G off}= 5.1 Ω

di/dt_on= 6400 A/µs

di/dt_off= 7600 A/µs

dv/dt = 2000 V/µs

T_j= 150 °C

E_off

238

R_th(j-c)

R_th(c-s)

per IGBT

per IGBT (λgrease= 0.81 W/(m*K))

per IGBT, pre-applied phase change

material

0.021

K/W

0.0137

R_th(c-s)

K/W

MLI BOT-Switch

Rev. 5.0 – 26.06.2020

123 4 5 6 7...11

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