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SKKT105/06D

更新时间： 2024-09-15 15:51:23
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
5页 288K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 180.55A I(T)RMS, 106000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, TO-240AA, TO-240AA, 3 PIN

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SKKT105/06D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-240AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CUFM-X7针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
标称电路换相断开时间：150 µs配置：SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：150 mA
最大直流栅极触发电压：3 V快速连接描述：2G
螺丝端子的描述：A-K-AK最大维持电流：250 mA
JEDEC-95代码：TO-240AAJESD-30 代码：R-CUFM-X7
JESD-609代码：e2最大漏电流：20 mA
通态非重复峰值电流：2300 A元件数量：2
端子数量：7最大通态电流：106000 A
最高工作温度：130 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：180.55 A
重复峰值关态漏电流最大值：20000 µA断态重复峰值电压：600 V
重复峰值反向电压：600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

SKKT105/06D 数据手册

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SEMIPACK® 1  
Thyristor / Diode Modules  
VRSM VRRM (dv/  
VDRM dt)cr  
ITRMS (maximum value for continuous operation)  
180 A  
ITAV (sin. 180; Tcase = 80 °C)  
115 A  
V
V
V/µs  
500 400 500  
700 600 500 SKKT 105/06 D SKKT 106/06 D  
SKKT 105  
SKKT 106  
SKKT 106B  
SKKH 105  
SKKH 106  
–
–
SKKH 105/04 D  
–
–
SKKH 106/06 D  
900 800 500 SKKT 105/08 D SKKT 106/08 D1) SKKH 105/08 D SKKH 106/08 D  
1300 1200 1000 SKKT 105/12 E SKKT 106/12 E1) SKKH 105/12 E SKKH 106/12 E  
1500 1400 1000 SKKT 105/14 E SKKT 106/14 E1) SKKH 105/14 E SKKH 106/14 E  
1700 1600 1000 SKKT 105/16 E SKKT 106/16 E1) SKKH 105/16 E SKKH 106/16 E  
1900 1800 1000 SKKT 105/18 E SKKT 106/18 E1) SKKH 105/18 E SKKH 106/18 E  
SKKT 105 SKKT 106  
SKKH 105 SKKT 106B Units  
SKKH 106  
Symbol Conditions  
ITAV  
ID  
sin. 180; Tcase = 85 °C  
106  
A
A
A
A
B2/B6  
Tamb = 35 °C; P 3/180 F  
P 16/200 F  
145 / 180  
190 / 260  
200 / 3 x 140  
IRMS  
ITSM  
W1/W3  
T
amb = 35 °C; P 3/180 F  
2 250  
1 900  
25 000  
18 000  
A
A
A2s  
A2s  
Tvj = 25 °C; 10 ms  
Tvj = 130 °C; 10 ms  
Tvj = 25 °C; 8,3 ... 10 ms  
Tvj = 130 °C; 8,3 ... 10 ms  
i2t  
tgd  
tgr  
Tvj = 25 °C; IG = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
SKKT 105  
SKKH 105  
SKKH 106  
1
2
µs  
µs  
VD = 0,67 . VDRM  
(di/dt)cr  
Tvj = 130 °C  
Tvj = 130 °C  
Tvj = 25 °C; typ./max.  
Tvj = 25 °C; RG = 33 Ω; typ./max.  
150  
A/µs  
µs  
mA  
mA  
tq  
IH  
IL  
typ. 100  
150 / 250  
300 / 600  
SKKT 106  
SKKT 106B  
VT  
VT(TO)  
rT  
Tvj = 25 °C; IT = 300 A  
Tvj = 130 °C  
Tvj = 130 °C  
max. 1,65  
V
V
mΩ  
0,9  
2
Features  
IDD; IRD  
Tvj = 130 °C; VRD = VRRM  
VDD = VDRM  
• Heat transfer through aluminium  
oxide ceramic isolated metal  
baseplate  
• Hard soldered joints for high  
reliability  
max. 20  
mA  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 25 °C; d.c.  
Tvj = 130 °C; d.c.  
Tvj = 130 °C; d.c.  
3
150  
0,25  
6
V
mA  
V
• UL recognized, file no. E 63 532  
mA  
Rthjc  
cont.  
sin. 180  
rec. 120  
0,28 / 0,14  
0,30 / 0,15  
0,32 / 0,16  
0,2 / 0,1  
– 40 ... + 130  
– 40 ... + 125  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C  
Typical Applications  
per thyristor /  
per module  
• DC motor control (e.g. for  
machine tools)  
Rthch  
Tvj  
Tstg  
• AC motor soft starters  
• Temperature control (e.g. for  
ovens, chemical processes)  
• Professional light dimming  
(studios, theaters)  
°C  
Visol  
M1  
M2  
a
a. c. 50 Hz; r.m.s; 1 s/1 min  
to heatsink  
SI (US) units  
to terminals  
3600 / 3000  
5 (44 lb. in.) + 15 %2)  
3 (26 lb. in.) + 15 %2)  
5 . 9,81  
V~  
Nm  
Nm  
m/s2  
g
w
approx.  
95  
1) Also available in SKKT 106 B  
configuration (case A 48)  
2) See the assembly instructions  
Case  
→ page B 1 – 95  
SKKT 105: A 5  
SKKH 105: A 6  
SKKT 106: A 46  
SKKT 106B: A 48  
SKKH 106: A 47  
© by SEMIKRON  
0898  
B 1 – 55  
12345

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与SKKT105/06D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SKKT105/06E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2 Element, CERAMIC,
SKKT105/08D SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 180.55A I(T)RMS, 106000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2
SKKT105/08E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element, CERAMIC,
SKKT105/14E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 106000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 2 E
SKKT105/16E SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 106000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 E
SKKT106 SEMIKRON

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 		Thyristor / Diode Modules
SKKT106/06D SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 180.55A I(T)RMS, 106000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 2
SKKT106/08D SEMIKRON

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 		Silicon Controlled Rectifier, 180.55A I(T)RMS, 106000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2
SKKT106/08E SEMIKRON

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SKKT106/12E SEMIKRON

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