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SKCD08C120I4F

更新时间： 2024-01-27 19:10:28

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		二极管
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2页	142K
描述
CAL-DIODE

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SKCD08C120I4F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DIE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.76	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
应用：	SOFT RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2.65 V	JESD-30 代码：	S-XXUC-N2
最大非重复峰值正向电流：	36 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	IEC-60747-1
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向电流：	60 µA
最大反向恢复时间：	0.92 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

SKCD08C120I4F 数据手册

SKCD 08 C 120 I4F

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

Values

Unit

T_j= 25 °C, I_R= 0.06 mA

T_c= 80 °C, T_j= 175 °C, F_i=PI/2

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

1200

T_j= 25 °C

T_j= 150 °C

10 ms

sin 180°

T_jmax

175

°C

Electrical Characteristics

Symbol Conditions

CAL-DIODE

min.

typ.

max.

Unit

I_F= 8 A

V_RRM= 1200 V

Size: 2,85 mm x 2,85 mm

T_j= 150 °C, sin 180°, 10 ms

T_j= 25 °C, V_RRM= 1200 V

i²t

I_R

0.06

0.70

2.65

2.68

2.51

1.10

197.58

0.98

A²s

m

T_j= 150 °C, V_RRM= 1200 V

T_j= 25 °C, I_F= 8 A

T_j= 150 °C, I_F= 8 A

T_j= 175 °C, I_F= 8 A

T_j= 150 °C

T_j= 175 °C

0.30

2.33

2.35

2.19

0.90

181.6

0.82

171.25

V_F

V_(TO)

r_T

V_(TO)

r_T

SKCD 08 C 120 I4F

Features

191.22

m

• max. junction 175 °C

Dynamic Characteristics

Symbol Conditions

• very low forward voltage drop

• positive temperature coefficient

• extreme soft recovery

min.

typ.

max.

Unit

T_j= 150 °C, 8 A, 600 V, 130 A/µs

t_rr

E_rr

I_rrm

0.92

0.4

2.6

µs

Typical Applications*

• freewheeling diode for IGBT

Thermal Characteristics

Symbol Conditions

typ.

max.

Unit

T_j

T_stg

T_solder

R_th(j-c)

-40

175

250

320

°C

K/W

10 min.

5 min.

Semitrans Assembly

4.33

Mechanical Characteristics

Symbol Conditions

Values

Unit

Raster

size

Area total

2,85 x 2,85

mm²

Anode

Metallization

bondable (Al)

Cathode

Wire bond

Package

solderable (Ag/Ni)

Al, typ. diameter = 300 µm

wafer frame

Chips /

Package

1894

pcs

SKCD

Rev. 0 – 16.03.2011

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