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SK50GAL065

更新时间： 2024-11-09 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 367K
描述
Fast IGBT Module

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SK50GAL065 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P7
针数：7Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：54 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-P7JESD-609代码：e3/e4
元件数量：1端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified参考标准：IEC-60747-1
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN/SILVER端子形式：PIN/PEG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：240 ns标称接通时间 (ton)：90 ns
VCEsat-Max：2.5 VBase Number Matches：1

SK50GAL065 数据手册

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SK 50 GAL 065  
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Fast IGBT Module  
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SK 50 GAR 065  
SK 50 GAL 065  
Preliminary Data  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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15-01-2007 DIL  
© by SEMIKRON  
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