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SK1GD09

更新时间: 2024-11-18 21:01:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 900V V(RRM), Silicon

SK1GD09 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.7 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流:45 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:900 V
最大反向恢复时间:0.075 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

SK1GD09 数据手册

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