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SK1GD10

更新时间: 2024-11-20 21:01:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon

SK1GD10 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84其他特性:LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:45 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:0.075 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

SK1GD10 数据手册

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