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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最大降落时间（tf）： | 3000 ns | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1250 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1250 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 15000 ns | 最大开启时间（吨）： | 2000 ns |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SK200DA100D | SEMIKRON |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin |
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| SK200DHL066 | SEMIKRON |
获取价格 |
Half controlled bridge rectifier + IGBT braking chopper |
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| SK200DHL066_08 | SEMIKRON |
获取价格 |
Half controlled bridge rectifier + IGBT braking chopper |
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| SK200GB12T4TP | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| SK200GD066T | SEMIKRON |
获取价格 |
3-phase bridge inverter |
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| SK200GD066T_07 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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| SK200GD066T_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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| SK200M0150A3S32230 | YAGEO |
获取价格 |
Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 150u |
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| SK200M0150APS12230 | YAGEO |
获取价格 |
Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 150u |
|
| SK200M0150B2S11836 | YAGEO |
获取价格 |
Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 150u |
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