是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | O-PALF-W2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL | 应用: | FAST RECOVERY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.2 V | JESD-30 代码: | O-PALF-W2 |
JESD-609代码: | e2 | 最大非重复峰值正向电流: | 50 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 1.4 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
最大反向电流: | 5 µA | 最大反向恢复时间: | 0.3 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SK1GXX | SEMIKRON |
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Rectifier Diodes | |
SK-1P5-GT | SAMTEC |
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PCB Terminal | |
SK1XSA | CYSTEKEC |
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1.0Amp. Surface Mount Schottky Barrier Diodes | |
SK-2 | MINI |
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Frequency Multiplier | |
SK-2+ | MINI |
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Frequency Multiplier | |
SK200DA060D | SEMIKRON |
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Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 7 Pin | |
SK200DA100D | SEMIKRON |
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Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin | |
SK200DHL066 | SEMIKRON |
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Half controlled bridge rectifier + IGBT braking chopper | |
SK200DHL066_08 | SEMIKRON |
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Half controlled bridge rectifier + IGBT braking chopper | |
SK200GB12T4TP | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |