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SK1G12

更新时间: 2024-02-15 00:52:06
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
4页 396K
描述
Rectifier Diodes

SK1G12 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e2最大非重复峰值正向电流:58 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向电流:4 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SK1G12 数据手册

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