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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIS776DN-T1-GE3
SIS776DN-T1-GE3 PDF预览

SIS776DN-T1-GE3

更新时间： 2024-10-14 09:25:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
14页 567K
描述
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SIS776DN-T1-GE3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.0062 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-XDSO-C5元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：52 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIS776DN-T1-GE3 数据手册

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SiS776DN  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)e  
35  
Qg (Typ.)  
0.0062 at VGS = 10 V  
0.0087 at VGS = 4.5 V  
SkyFET Monolithic TrenchFET® Power  
MOSFET and Schottky Diode  
Low Thermal Resistance PowerPAK®  
Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile  
100 % Rg Tested  
30  
11.6 nC  
35  
•
•
PowerPAK 1212-8  
100 % UIS Tested  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
S
3.30 mm  
3.30 mm  
APPLICATIONS  
1
S
2
D
S
•
System Power  
- Low Side  
3
G
4
D
8
D
7
D
6
D
Schottky Diode  
5
G
Bottom View  
Ordering Information: SiS776DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
30  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
35e  
35e  
18.3a, b  
14.5a, b  
60  
T
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
35e  
5.4a, b  
Continuous Source-Drain Diode Current  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
IAS  
20  
L = 0.1 mH  
EAS  
mJ  
W
20  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
52  
33  
Maximum Power Dissipation  
PD  
3.8a, b  
2.4a, b  
- 50 to 150  
260  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)c, d  
TJ, Tstg  
°C  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. See solder profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed  
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and  
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
d. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
e. Package limited.  
Document Number: 67012  
S10-2251-Rev. A, 04-Oct-10  
www.vishay.com  
1
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