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SII200N12

更新时间: 2024-11-21 00:02:03
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SIRECTIFIER 晶体双极型晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 931K
描述
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology).

SII200N12 数据手册

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SII200N12  
NPT IGBT Modules  
Dimensions in mm (1mm = 0.0394")  
T C, unless otherwise specified  
= 25o  
C
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Units  
Values  
1200  
V
CES  
V
A
I
C
290(200)  
580(400)  
T
C
C
= 25(80)o  
= 25(80)oC, tP =1ms  
C
I
CRM  
T
A
_
+20  
V
GES  
V
1400  
40...+125(150)  
2500  
Ptot  
W
oC  
_
_
T
Vj,(Tstg)  
TOPERATION < Tstg  
AC, 1min  
Visol  
V
_
<
RthJC  
0.09  
0.18  
K/W  
_
<
RthJCD  
R
Sirectifier  

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