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SII300N06

更新时间: 2024-11-21 00:02:03
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SIRECTIFIER 晶体双极型晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 1555K
描述
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology).

SII300N06 数据手册

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SII300N06  
NPT IGBT Modules  
Dimensions in mm (1mm = 0.0394")  
T C, unless otherwise specified  
= 25o  
C
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Units  
Values  
IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter  
600  
275(300)  
600  
V
CES  
V
A
T
C
= 25(65)o  
C
I
C
TC  
= 65oC, tP =1ms  
= 25oC, Tvj= 150oC  
A
ICRM  
P
tot  
TC  
1250  
_
+20  
W
V
V
GES  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
IF  
IFRM  
300  
600  
A
A
A2s  
tP =1ms  
tP =10ms; TVj=125oC  
I2  
t
19.2  
VR=0V,  
Module Isolation/ Module Isolation  
VISOL  
RMS, f=50Hz, t=1min, NTC connect to Baseplate  
2500  
V
R
Sirectifier  

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