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SII100S12

更新时间： 2024-11-09 00:02:03

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SIRECTIFIER		晶体双极型晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	787K
描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs)，SPT技术的IGBT模块SPT IGBT Modules (Soft Punch Through Technology)。

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SII100S12 数据手册

SII100S12

SPT IGBT Modules

Dimensions in mm (1mm = 0.0394")

T C, unless otherwise specified

= 25^o

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Conditions

Values

Units

IGBT

1200

CES

= 25(80)^o

145(105)

290(210)

= 25(80)^oC, tP =1ms

CRM

GES

Vj,(Tstg

isol

+20

^oC

)

TOPERATION < Tstg

40...+150(125)

4000

AC, 1min

Inverse Diode

IF=-IC

= 25(80)^o

= 25(80)^oC, tP =1ms

95(65)

290(210)

720

IFRM

tP =10ms; sin.;Tj=150^oC

IFSM

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