SIHFRC20-E3

更新时间： 2024-10-18 06:11:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1824K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHFRC20-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.07
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	74 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	4.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFRC20-E3 数据手册

IRFRC20, IRFUC20, SiHFRC20, SiHFUC20

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

• Repetitive Avalanche Rated

RoHS*

• Surface Mount (IRFRC20/SiHFRC20)

COMPLIANT

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

4.4

Q_g(Max.) (nC)

3.0

• Straight Lead (IRFUC20/SiHFUC20)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

8.9

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D PAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFUC/SiHFUC series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFRC20PbF

SiHFRC20-E3

IRFRC20

DPAK (TO-252)

IRFRC20TRLPbF^a

SiHFRC20TL-E3^a

IRFRC20TRL^a

DPAK (TO-252)

IRFRC20TRPbF^a

SiHFRC20T-E3^a

IRFRC20TR^a

DPAK (TO-252)

IRFRC20TRRPbF^a

SiHFRC20TR-E3^a

IRFRC20TRR^a

IPAK (TO-251)

IRFUC20PbF

SiHFUC20-E3

IRFUC20

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFRC20

SiHFRC20TL^a

SiHFRC20T^a

SiHFRC20TR^a

SiHFUC20

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

600

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

2.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

450

2.0

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

3.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 206 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.0 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91285

S-81392-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与SIHFRC20-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFRC20-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 2 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROH
SIHFRC20T	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20TA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20T-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20T-E3A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20TL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20TLA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20TL-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20TL-E3A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFRC20TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHFRC20-E3相关文章

纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

16
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

21
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
2024-10-15

30
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
2024-10-15

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFRC20-E3

SIHFRC20-E3 技术参数

SIHFRC20-E3 数据手册

与SIHFRC20-E3相关器件

与SIHFRC20-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHFRC20-E3

SIHFRC20-E3 技术参数

SIHFRC20-E3 数据手册

与SIHFRC20-E3相关器件

与SIHFRC20-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？