Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFR9214T-E3

SIHFR9214T-E3

更新时间： 2024-10-18 06:11:43

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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SIHFR9214T-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A
最大漏极电流 (ID)：	2.7 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFR9214T-E3 数据手册

IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• P-Channel

- 250

Available

• Surface Mount (IRFR9214/SiHFR9214)

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

• Straight Lead (IRFU9214/SiHFU9214)

• Advanced Process Technology

• Fast Switching

RoHS*

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.1

6.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Avalanche Rated

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR9214TRPbF^a

SiHFR9214T-E3^a

IRFR9214TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU9214PbF

SiHFU9214-E3

IRFU9214

IRFR9214PbF

SiHFR9214-E3

IRFR9214

IRFR9214TRLPbF^a

SiHFR9214TL-E3^a

IRFR9214TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9214

SiHFR9214TL^a

SiHFR9214T^a

SiHFU9214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 250

V_GS

_C= 25 °C

- 2.7

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

- 1.7

- 11

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

100

- 2.7

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

260^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 27 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 2.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 2.7 A, dI/dt ≤ 600 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91282

S-81392-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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