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SIHFR9220TRL-GE3

更新时间： 2024-10-18 14:12:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	2163K
描述
TRANSISTOR 3.6 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR9220TRL-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	310 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFR9220TRL-GE3 数据手册

IRFR9220, IRFU9220, SiHFR9220, SiHFU9220

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

- 200

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.5

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9220, SiHFR9220)

• Straight Lead (IRFUFU9220, SiHFU9220)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

3.3

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

DPAK

IPAK

Third Power MOSFETs technology is the key to Vishay

advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient

geometry and unique processing of the Power MOSFETs

design achieve very low on-state resistance combined with

high transconductance and extreme device ruggedness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

(TO-252)

(TO-251)

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free and

Halogen-free

SiHFR9220-GE3

SiHFR9220TRL-GE3^a

SiHFR9220TRR-GE3^aSiHFR9220TR-GE3^a

SiHFU9220-GE3

IRFR9220PbF

SiHFR9220-E3

IRFR9220

IRFR9220TRLPbF^a

SiHFR9220TL-E3^a

IRFR9220TRL^a

IRFR9220TRRPbF^a

SiHFR9220TR-E3^a

IRFR9220TRR^a

IRFR9220TRPbF^a

SiHFR9220T-E3^a

IRFR9220TR^a

IRFU9220PbF

SiHFU9220-E3

IRFU9220

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9220

SiHFR9220TL^a

SiHFR9220TR^a

SiHFR9220T^a

SiHFU9220

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 200

UNIT

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

T_C= 25 °C

- 3.6

- 2.3

- 14

I_D

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

Linear Derating Factor

I_DM

0.33

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

0.020

310

E_AS

I_AR

- 3.6

4.2

E_AR

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 5.0

- 55 to + 150

260^d

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 50 V, Starting T_J= 25 °C, L = 35 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= - 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 3.9 A, dI/dt ≤ 95 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91283

S10-1139-Rev. D, 17-May-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFR9220TRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.6 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R
SIHFR9310	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9310	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9310-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9310-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9310T	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9310T	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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