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SIHFR9214-GE3

更新时间： 2024-10-18 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	241K
描述
TRANSISTOR 2.7 A, 250 V, 3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR9214-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.09	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.7 A	最大漏极电流 (ID)：	2.7 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	11 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFR9214-GE3 数据手册

IRFR9214, IRFU9214, SiHFR9214, SiHFU9214

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

- 250

Definition

_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

3.0

• P-Channel

• Surface Mount (IRFR9214, SiHFR9214)

• Straight Lead (IRFU9214, SiHFU9214)

• Advanced Process Technology

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

3.1

6.8

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

DPAK

IPAK

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

(TO-252)

(TO-251)

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR9214-GE3

IRFR9214PbF

SiHFR9214-E3

IRFR9214

DPAK (TO-252)

SiHFR9214TR-GE3

IRFR9214TRPbF^a

SiHFR9214T-E3^a

IRFR9214TR^a

IPAK (TO-251)

SiHFU9214-GE3

IRFU9214PbF

SiHFU9214-E3

IRFU9214

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFR9214TRL-GE3

IRFR9214TRLPbF^a

SiHFR9214TL-E3^a

IRFR9214TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9214

SiHFR9214TL^a

SiHFR9214T^a

SiHFU9214

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

- 250

_C= 25 °C

- 2.7

- 1.7

- 11

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

100

- 2.7

5.0

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

for 10 s

P_D

dV/dt

T_J, T_stg

- 5.0

- 55 to + 150

260^d

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

°C

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 27 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= - 2.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 2.7 A, dI/dt ≤ 600 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91282

S10-1139-Rev. C, 17-May-10

www.vishay.com

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SIHFR9214T-E3A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
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