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SIHFR9024TR-GE3

更新时间： 2024-10-18 14:38:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	2047K
描述
TRANSISTOR 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR9024TR-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.8 A
最大漏极电流 (ID)：	8.8 A	最大漏源导通电阻：	0.28 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFR9024TR-GE3 数据手册

IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

- 60

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.28

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9024, SiHFR9024)

• Straight Lead (IRFU9024, SiHFU9024)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

• Fast Switching

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

5.4

Q_gd(nC)

Configuration

Single

DESCRIPTION

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU,SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free and

Halogen-free

SiHFR9024-GE3

SiHFR9024TR-GE3^a

SiHFR9024TRL-GE3^aSiHFR9024TRR-GE3^a

SiHFU9024-GE3

IRFR9024PbF

SiHFR9024-E3

IRFR9024

IRFR9024TRPbF^a

SiHFR9024T-E3^a

IRFR9024TR^a

IRFR9024TRLPbF^a

SiHFR9024TL-E3^a

IRFR9024TRL^a

IRFR9024TRRPbF^a

SiHFR9024TR-E3^a

IRFU9024PbF

SiHFU9024-E3

IRFU9024

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9024

SiHFR9024T^a

SiHFR9024TL^a

SiHFU9024

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 8.8

- 5.6

- 35

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

0.020

300

E_AS

I_AR

- 8.8

5.0

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

P_D

V/ns

°C

dV/dt

- 4.5

- 55 to + 150

260^d

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 4.5 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= - 8.8 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 11 A, dI/dt ≤ 140 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91278

S10-1135-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFR9024TRL-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R
SIHFR9024TRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R
SIHFR9110	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9110-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9110-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9110-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R
SIHFR9110T	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
SIHFR9110T	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9110TA	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET

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