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SIHFR9110TR-GE3

更新时间： 2024-10-18 13:48:35

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1506K
描述
TRANSISTOR 3.1 A, 100 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFR9110TR-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFR9110TR-GE3 数据手册

IRFR9110, IRFU9110, SiHFR9110, SiHFU9110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

- 100

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

1.2

• Repetitive Avalanche Rated

• Surface Mount (IRFR9110, SiHFR9110)

• Straight Lead (IRFU9110, SiHFU9110)

• Available in Tape and Reel

• P-Channel

Q_g(Max.) (nC)

8.7

2.2

4.1

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Fast Switching

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU Series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR9110-GE3

IRFR9110PbF

SiHFR9110-E3

IRFR9110

DPAK (TO-252)

SiHFR9110TR-GE3

IRFR9110TRPbF^a

SiHFR9110T-E3^a

IRFR9110TR^a

IPAK (TO-251)

SiHFU9110-GE3

IRFU9110PbF

SiHFU9110-E3

IRFU9110

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFR9110TRL-GE3

IRFR9110TRLPbF^a

SiHFR9110TL-E3^a

IRFR9110TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR9110

SiHFR9110TL^a

SiHFR9110T^a

SiHFU9110

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

- 100

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 3.1

- 2.0

- 12

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

0.020

140

E_AS

I_AR

- 3.1

2.5

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

- 5.5

- 55 to + 150

260^d

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 21 mH, R_g= 25 Ω, I_AS= - 3.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 4.0 A, dI/dt ≤ 75 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91279

S10-1135-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

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SIHFR9120-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFR9120-E3	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating
SIHFR9120-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R
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