5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.1 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SIHFR9120-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHFR9120-E3 | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| SIHFR9120-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 5.6 A, 100 V, 0.6 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND R |
|
| SIHFR9120T | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| SIHFR9120T | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHFR9120TA | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHFR9120T-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHFR9120T-E3 | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| SIHFR9120T-E3A | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| SIHFR9120TL | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
