是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.08 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 290 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 74 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 22 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHF730STRL-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLI | |
SIHF734 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF734-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF737LC | VISHAY |
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TRANSISTOR 6.1 A, 300 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, | |
SIHF740 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF740A | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF740A-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF740AL | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF740AL-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF740AL-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND |