Datasheet > SIGC14T60N

SIGC14T60N

更新时间： 2024-11-21 21:12:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIGC14T60N 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIE
包装说明：	DIE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.63
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	S-XUUC-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	158 ns	标称接通时间 (ton)：	75 ns
Base Number Matches：	1

SIGC14T60N 数据手册

Preliminary

SIGC14T60N

IGBT Chip in NPT-technology

FEATURES:

This chip is used for:

600V NPT technology

100µm chip

positive temperature coefficient

easy paralleling

IGBT Modules

Applications:

drives

Chip Type

V_CE

I_Cn

15A

Die Size

Package

Ordering Code

Q67041-A4689-

A001

SIGC14T60N

600V

3.80 x 3.80 mm²

sawn on foil

MECHANICAL PARAMETER:

mm²

Raster size

3.80 x 3.80

14.44 / 10.7

1.89 x 2.19

0.70 x 1.09

100

Area total / active

Emitter pad size

Gate pad size

Thickness

µm

deg

Wafer size

125

Flat position

Max.possible chips per wafer

Passivation frontside

Emitter metalization

703

Photoimide

3200 nm Al Si 1%

1400 nm Ni Ag –system

suitable for epoxy and soft solder die bonding

Collector metalization

Die bond

electrically conductive glue or solder

Wire bond

Al, £500µm

Reject Ink Dot Size

tbd

store in original container, in dry nitrogen,

< 6 month

Recommended Storage Environment

Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 7232-E, Edition 1, 28.04.2000

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与SIGC14T60N相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIGC14T60NC	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
SIGC14T60SN	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
SIGC14T60SNC	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technolo
SIGC14T60SNCX1SA4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, 3.80 X 3.80 MM, DIE
SIGC156T120R2C	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
SIGC156T120R2CL	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
SIGC156T120R2CQ	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in Fieldstop-technology
SIGC156T120R2CS	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
SIGC156T60NR2C	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology
SIGC156T60SNR2C	INFINEON	获取价格	IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technolo