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SIFD8N030(SOP-8)

更新时间： 2024-11-07 17:01:39
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深爱 - SISEMIC 开关
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5页 557K
描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

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SIFD8N030(SOP-8) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
双封 N-沟道功率 MOS 管/Dual N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIFD8N030  
●特点：热阻低 导通电阻低 栅极电荷低，开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范  
●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE  
CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT  
●应用：低压高频逆变电路 同步整流 开关应用  
●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS  
■SWITCH APPLICATIONS  
■SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
●最大额定值（TC=25C）  
●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）  
Dual SOP-8  
参数  
PARAMETER  
符号  
额定值  
单位  
UNIT  
VDS=30V  
RDS(ON)=15mΩ  
ID=8A  
SYMBOL VALUE  
漏-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
V
V
栅-源电压  
gate-source Voltage  
±20  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
A
ID  
8*  
①
①
耗散功率  
Total Power Dissipation  
Ptot  
Tj  
2.1  
150  
W
C  
C  
最高结温  
Junction Temperature  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
-55-150  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy  
②
EAS  
14  
mJ  
●电特性（Tc=25C）  
●Electronic Characteristics（Tc=25C）  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
TEST CONDITION  
VGS=0V, ID=250A  
VGS=VDS, ID=250A③  
漏-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS(TH)  
IDSS  
30  
V
V
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
1.0  
2.5  
1
漏-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
VDS =30V,VGS =0V  
VGS =±20V  
A  
nA  
栅极漏电流  
Gate-body Leakage Current (VDS = 0)  
IGSS  
±100  
VGS =10V, ID=6A③  
VGS =4.5V, ID=3A③  
15  
23  
20  
30  
漏-源导通电阻  
Static Drain-source On Resistance  
RDS(ON)  
gFS  
mΩ  
S
跨导  
Forward Transconductance  
VDS =10V, ID=6A③  
13  
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
订货编码/ORDERING CODE  
包装形式/PACKING  
普通塑封料/ Normal Package Material  
SIFD8N030 SOP-8-TU  
无卤塑封料/Halogen Free  
SIFD8N030  
SOP-8-TU-HF  
SOP-8 条管装/TUBE PACKING  
SOP-8 编带装/TAPE & REEL PACKING  
SIFD8N030 SOP-8-TR  
SIFD8N030 SOP-8-TR-HF  
1
Si semiconductors 2017.08  
12345

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