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SIF912EDZ

更新时间： 2022-11-24 21:41:50

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威世 - VISHAY		/
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5页	66K
描述
Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SIF912EDZ 数据手册

SiF912EDZ

Vishay Siliconix

TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)

On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage

Threshold Voltage

0.06

0.4

0.2

= 250 mA

0.05

= 5 A

0.04

0.03

0.02

0.01

0.00

−0.0

−0.2

−0.4

−0.6

= 7.4 A

−50 −25

100 125 150

− Gate-to-Source Voltage (V)

− Temperature (_C)

Single Pulse Power, Junction-to-Ambient

Safe Operating Area

100

DS(on)

Limited

P(t) = 0.0001

P(t) = 0.001

P(t) = 0.01

D(on)

Limited

P(t) = 0.1

P(t) = 1

P(t) = 10

= 25_C

0.1

Single Pulse

Limited

DSS

0.01

0.001 0.01

0.1

100

1000

0.1

100

− Drain-to-Source Voltage (V)

Time (sec)

*V u minimum V at which r

is specified

DS(on)

Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient

Duty Cycle = 0.5

0.2

Notes:

0.1

0.05

0.02

1. Duty Cycle, D =

2. Per Unit Base = R

= 61_C/W

thJA

(t)

3. T − T = P Z

DM thJA

Single Pulse

4. Surface Mounted

0.01

−4

−3

−2

−1

100

600

Square Wave Pulse Duration (sec)

Document Number: 72952

S-50131—Rev. B, 24-Jan-05

www.vishay.com

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