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SIF912EDZ

更新时间： 2022-11-24 21:41:50
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威世 - VISHAY /
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5页 66K
描述
Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SIF912EDZ 数据手册

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SiF912EDZ  
Vishay Siliconix  
SPECIFICATIONS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Gate Threshold Voltage  
V
GS(th)  
V
DS  
= V , I = 250 mA  
0.6  
1.5  
V
GS  
D
V
= 0 V, V = "4.5 V  
GS  
DS  
"10  
"500  
Gate-Body Leakage  
I
GSS  
V
= 0 V, V = "12 V  
GS  
DS  
mA  
V
= 30 V, V = 0 V  
1
5
DS  
GS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
DSS  
V
DS  
= 30 V, V = 0 V, T = 85_C  
GS  
J
a
On-State Drain Current  
I
V
DS  
= 5 V, V = 4.5 V  
40  
A
D(on)  
GS  
V
= 4.5 V, I =7.4 A  
0.0155  
0.016  
0.019  
GS  
D
0.0195  
V
GS  
= 4.0 V, I = 7.3 A  
D
a
Drain-Source On-State Resistance  
r
W
DS(on)  
0.018  
0.022  
0.022  
0.027  
V
= 3.1 V, I = 6.8 A  
D
GS  
V
GS  
= 2.5 V, I = 3.5 A  
D
a
Forward Transconductance  
g
V
= 10 V, I = 7.4 A  
37  
S
V
fs  
DS  
D
a
Diode Forward Voltage  
V
SD  
I
S
= 2.9 A, V = 0 V  
0.75  
1.1  
15  
GS  
Dynamicb  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Q
9.8  
2.5  
g
Q
Q
V
= 15 V, V = 4.5 V, I = 7.4 A  
nC  
gs  
gd  
DS  
GS  
D
2.9  
t
0.53  
0.70  
8.0  
0.8  
1.1  
12  
5
d(on)  
t
r
V
DD  
= 15 V, R = 15 W  
L
ms  
I
^ 1 A, V  
= 10 V, R = 6 W  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
t
d(off)  
D
GEN g  
t
3.4  
f
Notes  
a. Pulse test; pulse width v 300 ms, duty cycle v 2%.  
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.  
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation  
of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating  
conditions for extended periods may affect device reliability.  
TYPICAL CHARACTERISTICS (25_C UNLESS NOTED)  
Gate-Current vs. Gate-Source Voltage  
Gate Current vs. Gate-Source Voltage  
16  
12  
8
100,000  
10,000  
1,000  
100  
10  
T
= 150_C  
J
1
0.1  
T
= 25_C  
J
4
0.01  
0.001  
0
0.0001  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
0
3
6
9
12  
52  
V
GS  
− Gate-to-Source Voltage (V)  
V
GS  
− Gate-to-Source Voltage (V)  
Document Number: 72952  
S-50131—Rev. B, 24-Jan-05  
www.vishay.com  
2
12345

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与SIF912EDZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIF912EDZ-T1-E3 VISHAY

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 		Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIF95N030(DFN5X6) SISEMIC

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