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SIF9N10(TO-251&252&252T)

更新时间： 2024-04-09 19:03:20

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深爱 - SISEMIC		开关
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7页	502K
描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF9N10(TO-251&252&252T) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF9N10

●特点：导通电阻低

开关速度快

输入阻抗高

符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW ON-RESISTANCE ■FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：不间断电源

照明

●APPLICATION: ■UPS ■LIGHTING

●最大额定值（Tc=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C）

TO-251/252/252T

单位

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

额定值

VALUE

UNIT

V_DS=100V

R_DS(ON)=0.16Ω

I_D=4.5A

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

100

-源电压

gate-source Voltage

±25

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=100℃

I_D

4.5

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

①

耗散功率

Power Dissipation

P_tot

150

最高结温

Junction Temperature

C

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-150

C

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy

②

E_AS

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250A

100

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.5

V/C

25C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250A

1.5

2.5

V_DS=100V,

V_GS=0V, Tj=25C

A

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

I_DSS

V_DS=100V,

V_GS=0V, Tj=125C

跨导

Forward Transconductance

V_DS=10V, I_D=4.5A

③

gfs

5.0

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

包装形式/PACKING

订货编码/ORDERING CODE

普通塑封料

无卤塑封料

Halogen Free

Normal Package Material

SIF9N10 TO-251-TU 或

SIF9N10 TO-252(T)-TU

TO-252(T)或 251 条管装

TUBE PACKING

SIF9N10 TO-251-TU-HF 或

SIF9N10 TO-252(T)-TU-HF

TO-252(T) 编带装/TAPE & REEL PACKING

SIF9N10 TO-252(T)-TR

SIF9N10 TO-252(T)-TR-HF

Si semiconductors 2017.09

12 3 4 5 6 7

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