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SIF9N10(TO-251&252&252T)

更新时间： 2024-04-09 19:03:20

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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF9N10(TO-251&252&252T) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF9N10

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

I_GSS

V_GS=±10V

±100

0.3

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

V_GS=4.5V, I_D=2.5A

③

R_DS(ON)

0.21

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

V_GS=10V, I_D=4.5A

③

R_DS(ON)

Ciss

0.16

378

0.2

输入电容

Input Capacitance

V_GS= 0V, V_DS= 25V

F = 1.0MHZ

V_DD=100V, I_D=9A

R_G= 3.5Ω, R_D=25Ω

③

关断延迟

Turn -Off Delay Time

Td(off)

栅极电荷

Total Gate Charge

9.50

1.90

3.10

I_D=9.0A, V_DS= 50V

栅源电荷

Gate-to-Source Charge

V_GS= 10V

③

Qgs

Qgd

栅漏电荷

Gate-to-Drain Charge

二极管正向电流

Continuous Diode Forward

Current

I_S

9.0

二极管正向压降

Diode Forward Voltage

Tj=25°C, Is=9A

V_SD

trr

1.45

V_GS=0V

③

反向恢复时间

Reverse Recovery Time

Tj=25°C, If=9A

di/dt=100A/μs

③

反向恢复电荷

Reverse Recovery Charge

Qrr

138

●热特性

●Thermal Characteristics

参数

符号

SYMBOL

最大值

MAX

单位

UNIT

PARAMETER

热阻结-壳

Rth_JC

Rth_JA

2.5

℃/W

Thermal Resistance Junction-case

热阻结-环境

Thermal Resistance Junction-ambient

62.5

℃/W

注释(Notes):

① 脉冲宽度：以最高结温为限制

Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

② 初始结温=25^oC, V_DD=50V, L=2.0mH, R_G=25Ω, I_AS=8 A

Starting Tj=25^oC, V_DD=50V, L=2.0mH, R_G=25Ω, I_AS=8 A

③ 脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％

Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%

Si semiconductors 2017.09

123 4 5 6 7

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